Optically Tunable Electrical Oscillations in Oxide-Based Memristors for Neuromorphic Computing

© 2024 The Authors. Advanced Materials published by Wiley‐VCH GmbH.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 25 vom: 21. Juni, Seite e2400904
1. Verfasser: Nath, Shimul Kanti (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Das, Sujan Kumar, Nandi, Sanjoy Kumar, Xi, Chen, Marquez, Camilo Verbel, Rúa, Armando, Uenuma, Mutsunori, Wang, Zhongrui, Zhang, Songqing, Zhu, Rui-Jie, Eshraghian, Jason, Sun, Xiao, Lu, Teng, Bian, Yue, Syed, Nitu, Pan, Wenwu, Wang, Han, Lei, Wen, Fu, Lan, Faraone, Lorenzo, Liu, Yun, Elliman, Robert G
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article V3O5 bolometric material negative differential resistance neuromorphic computing oscillation neuron photomemristor reservoir computing threshold switching vanadium oxide