Oxide resistive memory with functionalized graphene as built-in selector element

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 26(2014), 22 vom: 11. Juni, Seite 3693-9
1. Verfasser: Yang, Yuchao (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Lee, Jihang, Lee, Seunghyun, Liu, Che-Hung, Zhong, Zhaohui, Lu, Wei
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2014
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S. RRAM graphene resistive memory sneak path threshold switching trap-limited conduction