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Distinct Contact Scaling Effects in MoS2 Transistors Revealed with Asymmetrical Contact Measurements

von Cheng, Zhihui
Veröffentlicht in: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2023)

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$X-ray diffraction imaging of fully packaged n-p-n transistors under accelerated ageing conditions$

X-ray diffraction imaging of fully packaged n-p-n transistors under accelerated ageing conditions

von Tanner, Brian K
Veröffentlicht in: Journal of applied crystallography (2022)

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