Distinct Contact Scaling Effects in MoS2 Transistors Revealed with Asymmetrical Contact Measurements

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 21 vom: 24. Mai, Seite e2210916
1. Verfasser: Cheng, Zhihui (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Backman, Jonathan, Zhang, Huairuo, Abuzaid, Hattan, Li, Guoqing, Yu, Yifei, Cao, Linyou, Davydov, Albert V, Luisier, Mathieu, Richter, Curt A, Franklin, Aaron D
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2023
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article contact scaling current crowding negative differential resistance transfer length two-dimensional field-effect transistors