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threshold switching
V3O5
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05175J654G
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9NEZ333N27
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1
An Ion-Mediated Spiking Chemical Neuron based on Mott Memristor
von
Ren, Huihui
Veröffentlicht in:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2024)
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2
Optically Tunable Electrical Oscillations in Oxide-Based Memristors for Neuromorphic Computing
von
Nath, Shimul Kanti
Veröffentlicht in:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2024)
Online-Aufsatz
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3
Physical Origin of Negative Differential Resistance in V3 O5 and Its Application as a Solid-State Oscillator
von
Das, Sujan Kumar
Veröffentlicht in:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2023)
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4
Breaking the Current-Retention Dilemma in Cation-Based Resistive Switching Devices Utilizing Graphene with Controlled Defects
von
Zhao, Xiaolong
Veröffentlicht in:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2018)
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5
Oxide resistive memory with functionalized graphene as built-in selector element
von
Yang, Yuchao
Veröffentlicht in:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2014)
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