© 2025 Wiley‐VCH GmbH.
Détails bibliographiques
| Publié dans: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 37(2025), 39 vom: 01. Okt., Seite e2509066
|
|---|
| Auteur principal: |
He, Kexin
(Auteur) |
|---|
| Autres auteurs: |
Ran, Wenhao,
Xu, Shaodi,
Wen, Jie,
Qiu, Siqi,
Liu, Tingwei,
Xin, Kaiyao,
Yu, Yali,
Liu, Duan-Yang,
Huang, Qianqian,
Shen, Guozhen,
Wei, Zhongming,
Zhou, Ziqi |
|---|
| Format: | Article en ligne
|
|---|
| Langue: | English |
|---|
| Publié: |
2025
|
|---|
| Accès à la collection: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
|
|---|
| Sujets: | Journal Article
2D
GeSe
field‐effect transistor
polarization ratio
polarization‐sensitive photodetectors |
|---|