Adaptive Epitaxy of C-Si-Ge-Sn : Customizable Bulk and Quantum Structures

© 2025 The Author(s). Advanced Materials published by Wiley‐VCH GmbH.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 37(2025), 37 vom: 10. Sept., Seite e2506919
1. Verfasser: Concepción, Omar (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Devaiya, Ambrishkumar J, Zoellner, Marvin H, Schubert, Markus A, Bärwolf, Florian, Seidel, Lukas, Reboud, Vincent, Tiedemann, Andreas T, Bae, Jin-Hee, Tchelnokov, Alexei, Zhao, Qing-Tai, Broderick, Christopher A, Oehme, Michael, Capellini, Giovanni, Grützmacher, Detlev, Buca, Dan
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2025
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article C(Si)GeSn alloys RP‐CVD epitaxial growth multi quantum wells