Triplet Exciton Sensitization of Silicon Mediated by Defect States in Hafnium Oxynitride

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Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - (2024) vom: 23. Dez., Seite e2415110
Auteur principal: Nagaya, Narumi (Auteur)
Autres auteurs: Alexiu, Alexandra, Perkinson, Collin F, Nix, Oliver M, Koh, Dooyong, Bawendi, Moungi G, Tisdale, William A, Van Voorhis, Troy, Baldo, Marc A
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2024
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article DFT calculations photovoltaics singlet fission triplet exciton sensitization