Triplet Exciton Sensitization of Silicon Mediated by Defect States in Hafnium Oxynitride

© 2024 The Author(s). Advanced Materials published by Wiley‐VCH GmbH.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - (2024) vom: 23. Dez., Seite e2415110
1. Verfasser: Nagaya, Narumi (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Alexiu, Alexandra, Perkinson, Collin F, Nix, Oliver M, Koh, Dooyong, Bawendi, Moungi G, Tisdale, William A, Van Voorhis, Troy, Baldo, Marc A
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article DFT calculations photovoltaics singlet fission triplet exciton sensitization