Breaking the Trade-Off Between Mobility and On-Off Ratio in Oxide Transistors

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Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 37(2025), 5 vom: 05. Feb., Seite e2413212
Auteur principal: Chang, Yu-Cheng (Auteur)
Autres auteurs: Wang, Sung-Tsun, Lee, Yung-Ting, Huang, Ching-Shuan, Hsu, Chu-Hsiu, Weng, Tzu-Ting, Huang, Chang-Chang, Chen, Chien-Wei, Chou, Tsung-Te, Chang, Chan-Yuen, Woon, Wei-Yen, Lin, Chun-Liang, Sun, Jack Yuan-Chen, Lien, Der-Hsien
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2025
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article In2O3 amorphous oxide semiconductors electron degeneracy suppression high mobility monolithic 3D integration