Breaking the Trade-Off Between Mobility and On-Off Ratio in Oxide Transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - (2024) vom: 09. Dez., Seite e2413212
1. Verfasser: Chang, Yu-Cheng (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Wang, Sung-Tsun, Lee, Yung-Ting, Huang, Ching-Shuan, Hsu, Chu-Hsiu, Weng, Tzu-Ting, Huang, Chang-Chang, Chen, Chien-Wei, Chou, Tsung-Te, Chang, Chan-Yuen, Woon, Wei-Yen, Lin, Chun-Liang, Sun, Jack Yuan-Chen, Lien, Der-Hsien
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article In2O3 amorphous oxide semiconductors electron degeneracy suppression high mobility monolithic 3D integration