High Electrical Conductance in Magnetic Emission Junction of Fe3GeTe2/ZnO/Ni Heterostructure via Selective Spin Emission through ZnO Ohmic Barrier

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - (2024) vom: 24. Nov., Seite e2409822
1. Verfasser: Kim, Whan Kyun (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Kim, Namgun, Park, Mi Hyang, Shin, Yong Ha, Cho, Ga Young, Kim, Giheon, Yu, Woo Jong
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article magnetic emission junctions magnetic tunnel junctions magnetoresistance spin valves van der waals heterostructures