Self-Trapped Excitons in 3R ZnIn2S4 with Broken Inversion Symmetry for High-Performance Photodetection

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - (2024) vom: 06. Nov., Seite e2410417
1. Verfasser: Du, Chun (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Huang, Ziqi, Zhou, Jing, Su, Jiayun, Yu, Peng, Zheng, Zhaoqiang, Yan, Jiahao, Yao, Jiandong, Chen, Yicun, Duan, Xuanming
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 3R‐ZnIn2S4 broken inversion symmetry photodetection self‐trapped excitons