Low-Symmetry Van der Waals Dielectric GaInS3 Triggered 2D MoS2 Giant Anisotropy via Symmetry Engineering

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 46 vom: 05. Nov., Seite e2410469
1. Verfasser: Sun, Zongdong (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Liu, Jie, Xu, Yongshan, Xiong, Xiong, Li, Yuan, Wang, Meihui, Liu, Kailang, Li, Huiqiao, Wu, Yanqing, Zhai, Tianyou
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article GaInS3 MoS2/GaInS3 heterojunction anisotropic conductance dielectrics polarization‐sensitive photodetector symmetry engineering