Scalable Layer-Controlled Oxidation of Bi2O2Se for Self-Rectifying Memristor Arrays With sub-pA Sneak Currents

© 2024 Wiley‐VCH GmbH.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 44 vom: 09. Nov., Seite e2406608
1. Verfasser: Zhao, Yingjie (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Lou, Zhefeng, Hu, Jiaming, Li, Zishun, Xu, Lanxin, Chen, Zhe, Xu, Zhuokai, Wang, Tao, Wu, Mengqi, Ying, Haoting, An, Minghao, Li, Wenbin, Lin, Xiao, Zheng, Xiaorui
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article layer‐controlled intercalative oxidation quasi‐free‐standing single‐crystalline Bi2O2Se self‐rectifying memristor array sneak current β‐Bi2SeO5