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Voltage-Driven Fluorine Motion for Novel Organic Spintronic Memristor

Voltage-Driven Fluorine Motion for Novel Organic Spintronic Memristor

© 2024 Wiley‐VCH GmbH.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 33 vom: 06. Aug., Seite e2401611
Auteur principal: Nachawaty, Abir (Auteur)
Autres auteurs: Chen, Tongxin, Ibrahim, Fatima, Wang, Yuchen, Hao, Yafei, Dalla Francesca, Kevin, Tyagi, Priyanka, Da Costa, Antonio, Ferri, Anthony, Liu, Chuanchuan, Li, Xiaoguang, Chshiev, Mairbek, Migot, Sylvie, Badie, Laurent, Jahjah, Walaa, Desfeux, Rachel, Le Breton, Jean-Christophe, Schieffer, Philippe, Le Pottier, Arnaud, Gries, Thomas, Devaux, Xavier, Lu, Yuan
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2024
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article Langmuir‐Blodgett memristor neuromorphic computation poly(vinylidene fluoride) spin polarization tunneling magnetoresistance
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8 rue du Parc-Royal
75003 Paris
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Fax
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E-Mail
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