Vapor Deposition of Bilayer 3R MoS2 with Room-Temperature Ferroelectricity

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 32 vom: 03. Aug., Seite e2400670
1. Verfasser: Jiang, Hanjun (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Li, Lei, Wu, Yao, Duan, Ruihuan, Yi, Kongyang, Wu, Lishu, Zhu, Chao, Luo, Lei, Xu, Manzhang, Zheng, Lu, Gan, Xuetao, Zhao, Wu, Wang, Xuewen, Liu, Zheng
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article bilayer 3R MoS2 chemical vapor deposition piezoelectric force microscopy scanning Kelvin Probe microscopy sliding ferroelectricity