A Zero-Voltage-Writing Artificial Nervous System Based on Biosensor Integrated on Ferroelectric Tunnel Junction

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Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 32 vom: 18. Aug., Seite e2404026
Auteur principal: Qin, Xiaokun (Auteur)
Autres auteurs: Zhong, Bowen, Lv, Shuxian, Long, Xiao, Xu, Hao, Li, Linlin, Xu, Kaichen, Lou, Zheng, Luo, Qing, Wang, Lili
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2024
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article artificial nervous system biocompatibility biosensor ferroelectric tunnel junction zero‐voltage‐writing Zirconium C6V6S92N3C Hafnium X71938L1DO plus... hafnium oxide 3C4Z4KG52T Oxides