A Zero-Voltage-Writing Artificial Nervous System Based on Biosensor Integrated on Ferroelectric Tunnel Junction

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 32 vom: 18. Aug., Seite e2404026
1. Verfasser: Qin, Xiaokun (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Zhong, Bowen, Lv, Shuxian, Long, Xiao, Xu, Hao, Li, Linlin, Xu, Kaichen, Lou, Zheng, Luo, Qing, Wang, Lili
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article artificial nervous system biocompatibility biosensor ferroelectric tunnel junction zero‐voltage‐writing Zirconium C6V6S92N3C Hafnium X71938L1DO mehr... hafnium oxide 3C4Z4KG52T Oxides