Manipulating Surface Band Bending of III-Nitride Nanowires with Ambipolar Charge-Transfer Characteristics : A Pathway Toward Advanced Photoswitching Logic Gates and Encrypted Optical Communication

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 1 vom: 01. Jan., Seite e2307779
1. Verfasser: Chen, Wei (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Wang, Danhao, Wang, Weiyi, Kang, Yang, Liu, Xin, Fang, Shi, Li, Liuan, Luo, Yuanmin, Liang, Kun, Liu, Yuying, Luo, Dongyang, Memon, Muhammad Hunain, Yu, Huabin, Gu, Wengang, Liu, Zhenghui, Hu, Wei, Sun, Haiding
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article III-nitride nanowires bipolar photoresponse encrypted optical communication photoswitching logic gates surface band bending