Manipulating Surface Band Bending of III-Nitride Nanowires with Ambipolar Charge-Transfer Characteristics : A Pathway Toward Advanced Photoswitching Logic Gates and Encrypted Optical Communication

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Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 1 vom: 12. Jan., Seite e2307779
Auteur principal: Chen, Wei (Auteur)
Autres auteurs: Wang, Danhao, Wang, Weiyi, Kang, Yang, Liu, Xin, Fang, Shi, Li, Liuan, Luo, Yuanmin, Liang, Kun, Liu, Yuying, Luo, Dongyang, Memon, Muhammad Hunain, Yu, Huabin, Gu, Wengang, Liu, Zhenghui, Hu, Wei, Sun, Haiding
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2024
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article III-nitride nanowires bipolar photoresponse encrypted optical communication photoswitching logic gates surface band bending