Adaptive Neural Activation and Neuromorphic Processing via Drain-Injection Threshold-Switching Float Gate Transistor Memory

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 52 vom: 02. Dez., Seite e2309099
1. Verfasser: Wang, Han (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Lu, Yuanlong, Liu, Shangbo, Yu, Jun, Hu, Man, Li, Sainan, Yang, Rui, Watanabe, Kenji, Taniguchi, Takashi, Ma, Ying, Miao, Xiangshui, Zhuge, Fuwei, He, Yuhui, Zhai, Tianyou
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2023
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article adaptive sensory processing float gate transistor hetero-modulated neural activation threshold switching behavior