Large-Area Growth of Ferroelectric 2D γ-In2 Se3 Semiconductor by Spray Pyrolysis for Next-Generation Memory

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 4 vom: 24. Jan., Seite e2308301
1. Verfasser: Lim, Taebin (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Lee, Jae Heon, Kim, Donggyu, Bae, Jinbaek, Jung, Seungchae, Yang, Sang Mo, Jang, Joon I, Jang, Jin
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article ferroelectric-semiconductor field effect transistor indium selenide large-area growth memory spray pyrolysis deposition