Highly Reliable Van Der Waals Memory Boosted by a Single 2D Charge Trap Medium

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 3 vom: 26. Jan., Seite e2305580
1. Verfasser: Liu, Chao (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Pan, Jie, Yuan, Qihui, Zhu, Chao, Liu, Jianquan, Ge, Feixiang, Zhu, Jijie, Xie, Haitao, Zhou, Dawei, Zhang, Zicheng, Zhao, Peiyi, Tian, Bobo, Huang, Wei, Wang, Lin
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D materials PbI2 artificial synapses charge trap memory