Highly Reliable Van Der Waals Memory Boosted by a Single 2D Charge Trap Medium

© 2023 Wiley-VCH GmbH.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 3 vom: 20. Jan., Seite e2305580
Auteur principal: Liu, Chao (Auteur)
Autres auteurs: Pan, Jie, Yuan, Qihui, Zhu, Chao, Liu, Jianquan, Ge, Feixiang, Zhu, Jijie, Xie, Haitao, Zhou, Dawei, Zhang, Zicheng, Zhao, Peiyi, Tian, Bobo, Huang, Wei, Wang, Lin
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2024
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article 2D materials PbI2 artificial synapses charge trap memory