Negative Photoresponse Switching via Electron-Hole Recombination at The Type III Junction of MoTe2 Channel/SnS2 Top Layer

Negative Photoresponse Switching via Electron-Hole Recombination at The Type III Junction of MoTe2 Channel/SnS2 Top Layer

© 2023 Wiley-VCH GmbH.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 48 vom: 01. Nov., Seite e2304599
1. Verfasser: Jeong, Yeonsu (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Kim, Taewook, Cho, Hyunmin, Ahn, Jongtae, Hong, Sungjae, Hwang, Do Kyung, Im, Seongil
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2023
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article SnS2/MoTe2 e-h recombination negative photoresponsivity photo-FET type III junction
Online verfügbar Volltext