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Negative Photoresponse Switching via Electron-Hole Recombination at The Type III Junction of MoTe2 Channel/SnS2 Top Layer
par
Jeong, Yeonsu
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2023)
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Hong
,
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2
Ambipolar Channel p-TMD/n-Ga2 O3 Junction Field Effect Transistors and High Speed Photo-sensing in TMD Channel
par
Choi, Wonjun
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2021)
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Hong
,
Sungjae
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