Ambipolar Channel p-TMD/n-Ga2 O3 Junction Field Effect Transistors and High Speed Photo-sensing in TMD Channel

Ambipolar Channel p-TMD/n-Ga2 O3 Junction Field Effect Transistors and High Speed Photo-sensing in TMD Channel

© 2021 Wiley-VCH GmbH.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 33(2021), 38 vom: 15. Sept., Seite e2103079
1. Verfasser: Choi, Wonjun (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Ahn, Jongtae, Kim, Ki-Tae, Jin, Hye-Jin, Hong, Sungjae, Hwang, Do Kyung, Im, Seongil
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2021
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Ga2O3 ambipolar channels heterojunction devices junction field effect transistors photo-sensing transition metal dichalcogenide
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