Humidity/Oxygen-Insensitive Organic Synaptic Transistors Based on Optical Radical Effect

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 1 vom: 09. Jan., Seite e2305370
1. Verfasser: Liu, Dapeng (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Zhang, Junyao, Shi, Qianqian, Sun, Tongrui, Xu, Yutong, Li, Li, Tian, Li, Xiong, Lize, Zhang, Jianhua, Huang, Jia
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article durability radical effect stability synaptic transistors