Giant Spin-Valve Effect in Planar Spin Devices Using an Artificially Implemented Nanolength Mott-Insulator Region

© 2023 The Authors. Advanced Materials published by Wiley-VCH GmbH.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 28 vom: 02. Juli, Seite e2300110
1. Verfasser: Endo, Tatsuro (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Tsuruoka, Shun, Tadano, Yuriko, Kaneta-Takada, Shingo, Seki, Yuichi, Kobayashi, Masaki, Anh, Le Duc, Seki, Munetoshi, Tabata, Hitoshi, Tanaka, Masaaki, Ohya, Shinobu
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2023
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article metal-insulator transition molecular beam epitaxy oxide electronics perovskite manganite spin-valve devices spintronics Oxides