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    Colossal Magnetoresistive Switching Induced by d0 Ferromagnetism of MgO in a Semiconductor Nanochannel Device with Ferromagnetic Fe/MgO Electrodes
    Colossal Magnetoresistive Switching Induced by d0 Ferromagnetism of MgO in a Semiconductor Nanochannel Device with Ferromagnetic Fe/MgO Electrodes
    par Ohya, Shinobu
    Publié dans: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2024)
    Autres auteurs: “...Endo, Tatsuro...”

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    Giant Spin-Valve Effect in Planar Spin Devices Using an Artificially Implemented Nanolength Mott-Insulator Region
    Giant Spin-Valve Effect in Planar Spin Devices Using an Artificially Implemented Nanolength Mott-Insulator Region
    par Endo, Tatsuro
    Publié dans: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2023)

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Journal Article oxide electronics spintronics Oxides d0 ferromagnetism metal-insulator transition molecular beam epitaxy perovskite manganite resistive switching spin-valve devices vacancy
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