Ti3 C2 Tx MXene van der Waals Gate Contact for GaN High Electron Mobility Transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 22 vom: 20. Juni, Seite e2211738
1. Verfasser: Wang, Chuanju (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Xu, Xiangming, Tyagi, Shubham, Rout, Paresh C, Schwingenschlögl, Udo, Sarkar, Biplab, Khandelwal, Vishal, Liu, Xinke, Gao, Linfei, Hedhili, Mohamed Nejib, Alshareef, Husam N, Li, Xiaohang
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2023
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article GaN HEMTs Ti3C2Tx MXene near-ideal subthreshold swing record high ION/IOFF ratio vdWs heterojunction