True Nonvolatile High-Speed DRAM Cells Using Tailored Ultrathin IGZO

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 20 vom: 22. Mai, Seite e2210554
1. Verfasser: Hu, Qianlan (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Gu, Chengru, Li, Qijun, Zhu, Shenwu, Liu, Shiyuan, Li, Yu, Zhang, Lining, Huang, Ru, Wu, Yanqing
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2023
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article DRAM IGZO high speed multi-bit nonvolatile