True Nonvolatile High-Speed DRAM Cells Using Tailored Ultrathin IGZO

True Nonvolatile High-Speed DRAM Cells Using Tailored Ultrathin IGZO

© 2023 Wiley-VCH GmbH.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 20 vom: 03. Mai, Seite e2210554
Auteur principal: Hu, Qianlan (Auteur)
Autres auteurs: Gu, Chengru, Li, Qijun, Zhu, Shenwu, Liu, Shiyuan, Li, Yu, Zhang, Lining, Huang, Ru, Wu, Yanqing
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2023
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article DRAM IGZO high speed multi-bit nonvolatile
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