Electronic/Optoelectronic Memory Device Enabled by Tellurium-based 2D van der Waals Heterostructure for in-Sensor Reservoir Computing at the Optical Communication Band

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 20 vom: 21. Mai, Seite e2211598
1. Verfasser: Zha, Jiajia (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Shi, Shuhui, Chaturvedi, Apoorva, Huang, Haoxin, Yang, Peng, Yao, Yao, Li, Siyuan, Xia, Yunpeng, Zhang, Zhuomin, Wang, Wei, Wang, Huide, Wang, Shaocong, Yuan, Zhen, Yang, Zhengbao, He, Qiyuan, Tai, Huiling, Teo, Edwin Hang Tong, Yu, Hongyu, Ho, Johnny C, Wang, Zhongrui, Zhang, Hua, Tan, Chaoliang
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2023
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D tellurium in-sensor reservoir computing optical communication band optoelectronic memory device van der Waals heterostructures