Unveiling Charge-Transport Mechanisms in Electronic Devices Based on Defect-Engineered MoS2 Covalent Networks

© 2023 The Authors. Advanced Materials published by Wiley-VCH GmbH.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 15 vom: 25. Apr., Seite e2211157
1. Verfasser: Ippolito, Stefano (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Urban, Francesca, Zheng, Wenhao, Mazzarisi, Onofrio, Valentini, Cataldo, Kelly, Adam G, Gali, Sai Manoj, Bonn, Mischa, Beljonne, David, Corberi, Federico, Coleman, Jonathan N, Wang, Hai I, Samorì, Paolo
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2023
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article charge-transport properties covalent networks defect engineering electrical devices hopping mechanisms transition metal dichalcogenides