Formation and Applications in Electronic Devices of Lattice-Aligned Gallium Oxynitride Nanolayer on Gallium Nitride

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 12 vom: 27. März, Seite e2208960
1. Verfasser: Chen, Junting (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Zhao, Junlei, Feng, Sirui, Zhang, Li, Cheng, Yan, Liao, Hang, Zheng, Zheyang, Chen, Xiaolong, Gao, Zhen, Chen, Kevin J, Hua, Mengyuan
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2023
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article gallium nitride gallium oxynitride nanolayers oxidation surfaces