A Gate Programmable van der Waals Metal-Ferroelectric-Semiconductor Vertical Heterojunction Memory

© 2022 The Authors. Advanced Materials published by Wiley-VCH GmbH.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 5 vom: 17. Feb., Seite e2208266
1. Verfasser: Li, Wanying (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Guo, Yimeng, Luo, Zhaoping, Wu, Shuhao, Han, Bo, Hu, Weijin, You, Lu, Watanabe, Kenji, Taniguchi, Takashi, Alava, Thomas, Chen, Jiezhi, Gao, Peng, Li, Xiuyan, Wei, Zhongming, Wang, Lin-Wang, Liu, Yue-Yang, Zhao, Chengxin, Zhan, Xuepeng, Han, Zheng Vitto, Wang, Hanwen
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2023
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D ferroelectrics array memristive device multi-bit storage van der waals heterostructures