Approaching the Intrinsic Threshold Breakdown Voltage and Ultrahigh Gain in a Graphite/InSe Schottky Photodetector

© 2022 Wiley-VCH GmbH.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 34(2022), 47 vom: 19. Nov., Seite e2206196
1. Verfasser: Zhang, Zhiyi (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Cheng, Bin, Lim, Jeremy, Gao, Anyuan, Lyu, Lingyuan, Cao, Tianjun, Wang, Shuang, Li, Zhu-An, Wu, Qingyun, Ang, Lay Kee, Ang, Yee Sin, Liang, Shi-Jun, Miao, Feng
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2022
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article InSe avalanche photodiodes layered materials van der Waals (vdW) Schottky junctions