Strain Release in GaN Epitaxy on 4° Off-Axis 4H-SiC

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 34(2022), 23 vom: 01. Juni, Seite e2201169
1. Verfasser: Feng, Sirui (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Zheng, Zheyang, Cheng, Yan, Ng, Yat Hon, Song, Wenjie, Chen, Tao, Zhang, Li, Liu, Kai, Cheng, Kai, Chen, Kevin J
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2022
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 4H-silicon carbide gallium nitride heterogeneous epitaxy hybrid field-effect transistors off-axis substrates