Ultrahigh-Speed In-Memory Electronics Enabled by Proximity-Oxidation-Evolved Metal Oxide Redox Transistors

Ultrahigh-Speed In-Memory Electronics Enabled by Proximity-Oxidation-Evolved Metal Oxide Redox Transistors

© 2022 Wiley-VCH GmbH.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 34(2022), 20 vom: 30. Mai, Seite e2200122
Auteur principal: Kumar, Mohit (Auteur)
Autres auteurs: Kim, Unjeong, Lee, WangGon, Seo, Hyungtak
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2022
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article in-memory processing multi-terminals proximity oxidation ultrafast memory ultrathin layers
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