Ultrahigh-Speed In-Memory Electronics Enabled by Proximity-Oxidation-Evolved Metal Oxide Redox Transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 34(2022), 20 vom: 30. Mai, Seite e2200122
1. Verfasser: Kumar, Mohit (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Kim, Unjeong, Lee, WangGon, Seo, Hyungtak
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2022
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article in-memory processing multi-terminals proximity oxidation ultrafast memory ultrathin layers