Aggregation Control, Surface Passivation, and Optimization of Device Structure toward Near-Infrared Perovskite Quantum-Dot Light-Emitting Diodes with an EQE up to 15.4

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 34(2022), 18 vom: 01. Mai, Seite e2109785
1. Verfasser: Tseng, Zong-Liang (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Chen, Lung-Chien, Chao, Li-Wei, Tsai, Meng-Ju, Luo, Dian, Al Amin, Nurul Ridho, Liu, Shun-Wei, Wong, Ken-Tsung
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2022
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article near-infrared emission perovskites quantum dots quantum-dot light-emitting diodes