Oxidation Mechanisms of Hafnium Overlayers Deposited on an Si(111) Substrate

The oxidation mechanism of hafnium overlayers on an Si(111) substrate [Hf-Si(111), including the outermost metallic Hf overlayers and interfacial Hf silicides (HfSi and HfSi4)] was investigated via high-resolution synchrotron radiation X-ray photoelectron spectroscopy (SR-XPS) of Hf 4f5/2,7/2, Si 2p...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids. - 1992. - 38(2022), 8 vom: 01. März, Seite 2642-2650
1. Verfasser: Kakiuchi, Takuhiro (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Matoba, Tomoki, Koyama, Daisuke, Yamamoto, Yuki, Yoshigoe, Akitaka
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2022
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids
Schlagworte:Journal Article