2D FeOCl : A Highly In-Plane Anisotropic Antiferromagnetic Semiconductor Synthesized via Temperature-Oscillation Chemical Vapor Transport

© 2022 Wiley-VCH GmbH.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 34(2022), 14 vom: 06. Apr., Seite e2108847
1. Verfasser: Zeng, Yi (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Gu, Pingfan, Zhao, Zijing, Zhang, Biao, Lin, Zhongchong, Peng, Yuxuan, Li, Wei, Zhao, Wanting, Leng, Yuchen, Tan, Pingheng, Yang, Teng, Zhang, Zhidong, Song, Youting, Yang, Jinbo, Ye, Yu, Tian, Kesong, Hou, Yanglong
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2022
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D materials FeOCl antiferromagnetic semiconductors in-plane anisotropy single crystals spin−phonon coupling