Nonvolatile Ferroelectric-Domain-Wall Memory Embedded in a Complex Topological Domain Structure

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 34(2022), 10 vom: 06. März, Seite e2107711
1. Verfasser: Yang, Wenda (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Tian, Guo, Fan, Hua, Zhao, Yue, Chen, Hongying, Zhang, Luyong, Wang, Yadong, Fan, Zhen, Hou, Zhipeng, Chen, Deyang, Gao, Jinwei, Zeng, Min, Lu, Xubing, Qin, Minghui, Gao, Xingsen, Liu, Jun-Ming
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2022
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article domain-wall memory ferroelectric domain walls polar topological domains