Quenching-Resistant Multiresonance TADF Emitter Realizes 40% External Quantum Efficiency in Narrowband Electroluminescence at High Doping Level

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 34(2022), 3 vom: 03. Jan., Seite e2106954
1. Verfasser: Jiang, Pengcheng (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Miao, Jingsheng, Cao, Xiaosong, Xia, Han, Pan, Ke, Hua, Tao, Lv, Xialei, Huang, Zhongyan, Zou, Yang, Yang, Chuluo
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2022
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article doping multiresonance narrowband electroluminescence quenching resistance