Lattice Polarity Manipulation of Quasi-vdW Epitaxial GaN Films on Graphene Through Interface Atomic Configuration

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 34(2022), 5 vom: 17. Feb., Seite e2106814
1. Verfasser: Liu, Fang (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Wang, Tao, Zhang, Zhihong, Shen, Tong, Rong, Xin, Sheng, Bowen, Yang, Liuyun, Li, Duo, Wei, Jiaqi, Sheng, Shanshan, Li, Xingguang, Chen, Zhaoying, Tao, Renchun, Yuan, Ye, Yang, Xuelin, Xu, Fujun, Zhang, Jingmin, Liu, Kaihui, Li, Xin-Zheng, Shen, Bo, Wang, Xinqiang
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2022
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article epitaxial growth interface atomic configuration lattice polarity layered graphene wurtzite gallium nitride