Double-Gate MoS2 Field-Effect Transistors with Full-Range Tunable Threshold Voltage for Multifunctional Logic Circuits

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Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 33(2021), 27 vom: 05. Juli, Seite e2101036
Auteur principal: Yi, Jiali (Auteur)
Autres auteurs: Sun, Xingxia, Zhu, Chenguang, Li, Shengman, Liu, Yong, Zhu, Xiaoli, You, Wenxia, Liang, Delang, Shuai, Qin, Wu, Yanqing, Li, Dong, Pan, Anlian
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2021
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article MoS2 double-gate FETs inverters reconfigurable​ circuits ternary logic