Double-Gate MoS2 Field-Effect Transistors with Full-Range Tunable Threshold Voltage for Multifunctional Logic Circuits

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 33(2021), 27 vom: 05. Juli, Seite e2101036
1. Verfasser: Yi, Jiali (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Sun, Xingxia, Zhu, Chenguang, Li, Shengman, Liu, Yong, Zhu, Xiaoli, You, Wenxia, Liang, Delang, Shuai, Qin, Wu, Yanqing, Li, Dong, Pan, Anlian
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2021
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article MoS2 double-gate FETs inverters reconfigurable​ circuits ternary logic