Phase Transition across Anisotropic NbS3 and Direct Gap Semiconductor TiS3 at Nominal Titanium Alloying Limit

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Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 32(2020), 17 vom: 26. Apr., Seite e2000018
Auteur principal: Wu, Kedi (Auteur)
Autres auteurs: Blei, Mark, Chen, Bin, Liu, Lei, Cai, Hui, Brayfield, Cassondra, Wright, David, Zhuang, Houlong, Tongay, Sefaattin
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2020
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article 2D materials alloys crystal growth material synthesis quantum materials