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  • Zhuang, Houlong
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    Phase Transition across Anisotropic NbS3 and Direct Gap Semiconductor TiS3 at Nominal Titanium Alloying Limit
    Phase Transition across Anisotropic NbS3 and Direct Gap Semiconductor TiS3 at Nominal Titanium Alloying Limit
    par Wu, Kedi
    Publié dans: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2020)
    Autres auteurs: “...Zhuang, Houlong...”

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  2. 2
    Room-Temperature Synthesis of 2D Janus Crystals and their Heterostructures
    Room-Temperature Synthesis of 2D Janus Crystals and their Heterostructures
    par Trivedi, Dipesh B
    Publié dans: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2020)
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  3. 3
    Anomalous Behavior of 2D Janus Excitonic Layers under Extreme Pressures
    Anomalous Behavior of 2D Janus Excitonic Layers under Extreme Pressures
    par Li, Han
    Publié dans: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2020)
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  4. 4
    Ultimate Control over Hydrogen Bond Formation and Reaction Rates for Scalable Synthesis of Highly Crystalline vdW MOF Nanosheets with Large Aspect Ratio
    Ultimate Control over Hydrogen Bond Formation and Reaction Rates for Scalable Synthesis of Highly Crystalline vdW MOF Nanosheets with Large Aspect Ratio
    par Shen, Yuxia
    Publié dans: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2018)
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