The Material Efforts for Quantized Hall Devices Based on Topological Insulators

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Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 32(2020), 27 vom: 09. Juli, Seite e1904593
Auteur principal: Fei, Fucong (Auteur)
Autres auteurs: Zhang, Shuai, Zhang, Minhao, Shah, Syed Adil, Song, Fengqi, Wang, Xuefeng, Wang, Baigeng
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2020
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article Review band engineering magnetism quantum Hall effect quantum transport topological insulators